移動智能終端和移動互聯網的飛速發展，推動了移動芯片產業的爆發式發展，2013年移動芯片需求首次超過了PC芯片，成為市場上的耀眼明星。隨著移動芯片的發展浪潮以及4G商用的全面到來，我國的移動芯片市場正在蓬勃發展，主要表現在：一是在關鍵技術領域實現突破，二是中國芯片廠商的市場競爭力在不斷增強。與此同時，國外的芯片巨頭也在不斷加大對中國市場的投入。可以預見，移動芯片市場的未來將更精彩!

4G助推我國芯片產業破浪前行

近年來，移動互聯網的迅猛發展使移動芯片成為集成電路產業發展的引擎和國際競爭與技術創新的熱點，借助于國內市場的有力帶動和對國際開放性技術成果的積極利用，我國在移動芯片領域已初步實現核心技術和市場應用的雙重突破。2013年12月4日，工信部正式向三大運營商發放4G牌照，標志著我國通信業進入4G新時代，這為我國移動芯片技術及產業的進一步升級營造了良好的發展環境。

全球移動芯片產業擁抱4G

當前，全球移動芯片產業飛速發展，相關設計技術正在加速多維度升級，這無疑為4G的發展提供有力支撐。

近年來，移動芯片作為集成電路的一個重要應用領域，市場潛力無限，據Gartner統計，2013年智能手機和平板電腦的芯片需求總和首次超過個人電腦，未來這一格局變革仍將繼續增強，且伴隨著移動芯片技術及產業的快速升級，呈現出更為復雜的發展趨勢，并形成多技術路線共同演進的發展態勢。

從通信芯片的角度看，出貨量持續快速增長，2013年上半年即達到11億片。隨著LTE商用進程提速，2G、3G、LTE等多網長期共存現狀使得多頻多模成為通信芯片技術發展的基本要求，高通暫時領先，其于2012年已推出包括全部移動通信模式的六模基帶芯片，并在多模多頻所需的射頻芯片、射頻前端等整合方面也具有突出的技術優勢。此外，MTK也于近期發布4G LTE真八核智能手機系統單芯片解決方案MT6595，預計下半年即有相關終端產品推出。

從應用處理芯片的角度來看，多核復用成為設計的重點，2013年上半年全球多核應用處理芯片的滲透率達到2/3。繼四核之后，應用處理芯片出現兩條技術升級路徑：一是繼續提升多核復用程度，以MTK、三星等推出的八核芯片為代表;二是通過提升單個核的能力來實現整體升級，以蘋果推出的64位ARM架構芯片為代表。目前，上述兩條技術路線均得到設計企業的積極響應。不論八核并行調度還是64位架構的應用處理芯片，均需上層操作系統、API接口、應用等同步優化支持，芯片設計難度也大幅提升，對企業研發提出了更高需求。

此外，移動芯片也在加速向可穿戴及智能電視等更多領域滲透。目前已發布的可穿戴設備大多基于成熟的移動芯片產品，包括谷歌眼鏡、三星手表等。可穿戴設備未來巨大的市場潛力正吸引移動芯片設計企業紛紛針對其推出更低功耗、更高集成度的芯片產品，如英特爾的超小超低功耗Quark處理器，支撐更多商用可穿戴終端的發布。在智能電視領域，Mstar已能通過一顆SoC芯片實現智能電視所有功能，國內的TCL等企業緊跟智能電視市場機遇，踴躍嘗試。除此之外，移動芯片與開源硬件等的融合更為其在物聯網的創新應用孕育更多可能。

值得一提的是，移動芯片制造工藝的加速升級，有力推動了移動計算性能與功耗的進步。

當前，28nm已成為主流工藝節點，臺積電以絕對優勢領銜，其2012年全球市場占有率接近100%，良率、性能等關鍵指標參數表現突出;三星、Global Foundries在2013年也實現了28nm的突破。前者除自用外，為iPhone 5所用的A7芯片提供代工，后者據稱已拿下高通部分訂單，但與臺積電相比，差距依然明顯。

在制造工藝的后續升級中，根據臺積電與蘋果簽訂的后續代工協議，2014年最先進的工藝將進入20nm，2015年進入16nm/14nm，快速升級的態勢依然不減。英特爾目前開始進入22nm，并計劃在2014年推出14nm。移動芯片還促進制造企業由關注“性能提升”向“性能和功耗平衡”轉變：臺積電目前4條28nm生產線中有3條主要用于生產移動芯片，而三星電子也擁有專用于移動芯片的28nm生產線，性能和功耗平衡是其主要特色。

我國移動芯片產業發展提速

在國家對新一代寬帶無線通信產業和集成電路產業的大力支持下，國內取得了從“無芯”到“有芯”的重大突破，涌現出一批初具國際競爭力的設計企業，與國際頂級企業間的技術差距在不斷縮小。2013年4G牌照的正式發放，更是為國內移動芯片實現從“有芯”到“強芯”的創新升級提供了良好的發展環境。

通信芯片方面，2011年、2012年、2013年的前三個季度，我國手機基帶芯片出貨量分別為3.93億片、4.62億片、4.37億片。國產化率3年內實現翻番，占比超過23%。在LTE芯片方面我國已基本跟上國際水平。目前海思、展訊、聯芯、中興微電子、創毅視訊、重郵信科、國民技術(300077,股吧)等企業已實現LTE基帶芯片的商用供貨。海思、展訊等多家企業已經開展TD-LTE、TD-SCDMA、FDD LTE、GSM和WCDMA五模芯片的研發，并采用目前最先進的28nm工藝設計，2014年多款平臺即可實現商用。LTE-Advanced多模芯片的研發目前也正在進行，預計2014年可發布測試用樣片。